高低溫濕熱試驗(yàn)箱技術(shù)規(guī)格：

SEH-190 CE表示低溫度0℃ / CR表示低-20℃ / CL表示低-40℃ / CS表示低-70℃

元器件是整機(jī)的基礎(chǔ)，它在制造過(guò)程中可能會(huì)由于本身固有的缺陷或制造工藝的控制不當(dāng)，在使用中形成與時(shí)間或應(yīng)力有關(guān)的失效。為了保證整批元器件的可靠性，滿足整機(jī)要求，必須把使用條件下可能出現(xiàn)初期失效的元器件剔除。

元器件的失效率隨時(shí)間變化的過(guò)程可以用類似"浴盆曲線"的失效率曲線來(lái)描述，早期失效率隨時(shí)間的增加而迅速下降，使用壽命期(或稱偶然失效期)內(nèi)失效率基本不變。

篩選的過(guò)程就是促使元器件提前進(jìn)入失效率基本保持常數(shù)的使用壽命期，同時(shí)在此期間剔除失效的元器件。

事物的好與壞的判別必須要有標(biāo)準(zhǔn)去衡量。判斷元器件的失效與否是由失效判別標(biāo)準(zhǔn)一一失效判據(jù)所確定的。

失效判據(jù)是質(zhì)量和可靠性的指標(biāo)，有時(shí)也有成本的內(nèi)涵，所以元器件失效不僅指功能的*喪失，而且指電學(xué)特性或物理參數(shù)降低到不能滿足規(guī)定的要求。簡(jiǎn)而言之，產(chǎn)品失去規(guī)定的功能稱為失效。

在選擇可靠性篩選次序時(shí)先先了解一下元器件失效都有哪些？

失效一般分為現(xiàn)場(chǎng)失效和試驗(yàn)失效。

現(xiàn)場(chǎng)失效一般是在裝機(jī)以后出現(xiàn)的失效，因此，我們?cè)谠骷y(cè)試篩選過(guò)程中只考慮試驗(yàn)失效。

試驗(yàn)失效主要是封裝失效和電性能失效。封裝失效主要依靠環(huán)境應(yīng)力篩選來(lái)檢測(cè)。

所謂環(huán)境應(yīng)力篩選，即在篩選時(shí)選擇若干典型的環(huán)境因素，施加于產(chǎn)品的硬件上，使各種潛在的缺陷加速為早期故障，然后加以排除，使產(chǎn)品可靠性接近設(shè)計(jì)的固有可靠性水平，而不使產(chǎn)品受到疲勞損傷。

在正常情況下是通過(guò)在檢測(cè)時(shí)施加一段時(shí)問(wèn)的環(huán)境應(yīng)力后，對(duì)外觀的檢查(主要是鏡檢，根據(jù)元器件的質(zhì)量要求，采用放大10倍對(duì)元器件外觀進(jìn)行檢測(cè)；也可以根據(jù)需要安排紅外線及X射線檢查)，以及氣密性篩選來(lái)完成，當(dāng)有特殊需要時(shí)，可以增加一些DPA(破壞性物理分析)等特殊測(cè)試。

這些篩選項(xiàng)目對(duì)電性能失效模式不會(huì)產(chǎn)生觸發(fā)效果。所以，一般將封裝失效的篩選放在前面，電性能失效的篩選放在后面。

電性能失效可以分為連結(jié)性失效、功能性失效和電參數(shù)失效。

連結(jié)性失效指開路、短路以及電阻值大小的變化，這類失效在元器件失效中占有較大的比例。因?yàn)樵谠骷Y選測(cè)試過(guò)程中，由于過(guò)電應(yīng)力所引起的大多為連結(jié)性失效，同時(shí)，連結(jié)性失效可以引發(fā)功能性失效和電參數(shù)失效，但是功能性失效和電參數(shù)失效不會(huì)引發(fā)連結(jié)性失效。

主要原因是，當(dāng)連結(jié)性失效模式被特定的篩選條件觸發(fā)時(shí)，往往出現(xiàn)的現(xiàn)象為元器件封裝涂覆發(fā)生銹蝕、外殼斷裂、引線熔斷、脫落或者與其他引線短路，主要表現(xiàn)為機(jī)械和熱應(yīng)力損傷，但是有時(shí)并不表現(xiàn)為連結(jié)性故障，而是反映為金屬疲勞、鍵合強(qiáng)度不夠等問(wèn)題，這些本身不會(huì)引發(fā)連結(jié)性失效，但是會(huì)引發(fā)功能性失效和電參數(shù)失效，需要通過(guò)功能性和電參數(shù)監(jiān)測(cè)才能發(fā)現(xiàn)。

但是，電路的功能性失效和電參數(shù)失效被特定的的篩選條件觸發(fā)時(shí)，出現(xiàn)的現(xiàn)象是某些特定的功能失效、電參數(shù)超差等。

造成這些失效的主要原因在于：制造、設(shè)計(jì)中的缺陷以及生產(chǎn)工藝控制不嚴(yán)，使生產(chǎn)過(guò)程中各種生產(chǎn)要素如空氣潔凈度等級(jí)、超純水的質(zhì)量監(jiān)測(cè)、超純氣體和化學(xué)試劑達(dá)不到規(guī)定的要求；在運(yùn)輸轉(zhuǎn)運(yùn)過(guò)程中由于防靜電措施不到位也會(huì)發(fā)生靜電損傷。

這些因素作用下半導(dǎo)體晶體會(huì)受到各種表面污染物的玷污，會(huì)使產(chǎn)品不能達(dá)到規(guī)定的質(zhì)量等級(jí)要求。當(dāng)受到特定的外部條件激發(fā)的情況下，就會(huì)產(chǎn)生功能性失效和電參數(shù)失效，但是這些功能性失效和電參數(shù)失效造成的影響往往只能造成元器件部分的功能失去作用，還不能使芯片的封裝和各部分的連結(jié)線出現(xiàn)燒毀、短路、開路等現(xiàn)象，所以電路的功能性失效和電參數(shù)失效與連結(jié)性失效不產(chǎn)生引發(fā)效果。

在安排測(cè)試篩選先后次序時(shí)，有兩種方案：

a)方案1：將不產(chǎn)生連環(huán)引發(fā)效果的失效模式篩選放在前面，將可以與其他失效模式產(chǎn)生連環(huán)引發(fā)效果的失效模式篩選放在后面。

b)方案2：將可以與其他失效模式產(chǎn)生連環(huán)引發(fā)效果的失效模式篩選放在前面，將不產(chǎn)生連環(huán)引發(fā)效果的失效模式篩選放在后面。

如果選擇方案1，會(huì)發(fā)現(xiàn)將可以與其他失效模式產(chǎn)生連環(huán)引發(fā)效果的失效模式篩選放在后面時(shí)，出現(xiàn)本身失效模式?jīng)]有被觸發(fā)、其他關(guān)聯(lián)的相關(guān)失效模式被觸發(fā)的情況時(shí)，這種帶有缺陷的元器件不能被準(zhǔn)確地定位、剔除，因?yàn)樵擃愂Ｊ降臋z測(cè)已經(jīng)在前面做過(guò)了。而選擇方案2就可以非常有效地避免上述問(wèn)題的發(fā)生，使篩選過(guò)程優(yōu)質(zhì)、經(jīng)濟(jì)和高效。

因此，決定元器件測(cè)試篩選先后次序的原則是：

失效概率大的篩選方法首先做。
當(dāng)一種失效模式可以與其他失效模式產(chǎn)生關(guān)聯(lián)時(shí)，應(yīng)將此失效模式的篩選放在前面。
使用不同方法對(duì)同一種失效模式進(jìn)行篩選時(shí)，首先考慮失效概率的分布，容易觸發(fā)失效的篩選方法首先進(jìn)行。
考慮經(jīng)濟(jì)性，便宜的先做。
考慮時(shí)間性，時(shí)間長(zhǎng)的后做。
測(cè)試順序的安排是后面的參數(shù)能夠檢查元器件經(jīng)前面參數(shù)測(cè)試后可能產(chǎn)生的變化。對(duì)有耐電壓、絕緣電阻測(cè)試要求的元器件，耐壓在前、絕緣在后，功能參數(shù)后測(cè)試；對(duì)有擊穿電壓和漏電流測(cè)試要求的元器件，擊穿電壓在前，漏電流在后，功能參數(shù)后測(cè)試。